[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810133700.6 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN110137153B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;陈品宏;郑存闵;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含一基底、一介电层、一第一钨层以及一第二钨层。介电层是设置在该基底上，且包含一第一开口以及一第二开口，该第二开口具有大于该第一开口的孔径。第一钨层设置于该第一开口与该第二开口内，并填满该第一开口。第二钨层，设置在该第一钨层上，该第二钨层的管芯尺寸自该第二钨层的底面朝向顶面而逐渐增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：基底；介电层，设置在该基底上且包含第一开口以及第二开口，该第二开口具有大于该第一开口的孔径；第一钨层，设置于该第一开口与该第二开口内，并填满该第一开口；第二钨层，设置在该第一钨层上，该第二钨层的管芯尺寸自该第二钨层的底面朝向顶面而逐渐增加。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司，未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810133700.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种测试结构、基板及其制造方法
