[发明专利]垂直纳米线晶体管与其制作方法

摘要

本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤S3，在衬底表面上形成层间介质层；步骤S4，在层间介质层中形成相互隔离的第一接触孔与第二接触孔，第一接触孔与第一端部的侧面连接，第二接触孔与第二端部的侧面连接；步骤S5，在第一接触孔和/或第二接触孔中填充重掺杂材料，高温退火扩散，横向掺杂，形成漏区和/或源区。该制作方法中，采用横向扩散的方法，形成均匀掺杂的源区和/或漏区，使得垂直纳米线晶体管的源漏区的掺杂工艺较简单并容易控制。

主权项

1.一种垂直纳米线晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供基底(10)，所述基底(10)包括衬底(110)与位于所述衬底(110)上的多个间隔的纳米线(120)，各所述纳米线(120)包括从下至上依次连接的至少一个子纳米线(012)，各所述子纳米线(012)包括依次连接的第一端部(121)、中间部(122)以及第二端部(123)，其中，与所述衬底(110)连接的所述子纳米线(012)通过所述第一端部(121)与所述衬底(110)连接；步骤S2，在所述纳米线(120)的外表面上形成栅介质层(20)，在所述中间部(122)对应的所述栅介质层(20)的外表面上形成栅极(30)；步骤S3，在裸露的所述衬底(110)表面上形成层间介质层(40)；步骤S4，刻蚀去除部分所述层间介质层(40)以及部分所述栅介质层(20)，在所述层间介质层(40)中形成相互隔离的第一接触孔(41)与第二接触孔(42)，所述第一接触孔(41)与所述第一端部(121)的侧面连接，所述第二接触孔(42)与所述第二端部(123)的侧面连接；以及步骤S5，在所述第一接触孔(41)和/或所述第二接触孔(42)中填充重掺杂材料(80)，并进行退火，所述重掺杂材料中的掺杂杂质横向扩散，使得所述第一端部(121)和/或所述第二端部(123)形成漏区(13)和/或源区(14)。