[发明专利]一种基于n-VO2/p-NiO的异质结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810135188.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108428736A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张东;赵琰;李昱材;王健;宋世巍;王刚;丁艳波;王晗;刘莉莹 | 申请（专利权）人： | 沈阳工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/02 |
| 代理公司： | 沈阳铭扬联创知识产权代理事务所(普通合伙) 21241 | 代理人： | 屈芳 |
| 地址： | 110136 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于n‑VO2/p‑NiO的异质结构及制备方法，从上层到下层依次包括TiN薄膜、第一AZO透明导电薄膜、VO2薄膜、p‑NiO薄膜、第二AZO透明导电薄膜以及柔性不锈钢衬底。其中：p‑NiO薄膜为缓冲层，TiN薄膜为保护层，第一AZO透明导电薄膜和第二AZO透明导电薄膜均作为导电电极和减缓层。本发明n‑VO2/P‑NiO异质结构结合柔性不锈钢材料及其制备技术，可以制备出柔性高功率的器件，该器件在大功率光电开关，大功率廉价的光存储器件等方面有着广阔的应用，解决了器件功率低、寿命长的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电薄膜 薄膜 制备 异质结构 柔性不锈钢 光存储器件 导电电极 光电开关 器件功率 保护层 高功率 缓冲层 衬底 下层 上层 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于n‑VO2/p‑NiO的异质结构，其特征在于，从上层到下层依次包括TiN薄膜、第一AZO透明导电薄膜、VO2薄膜、p‑NiO薄膜、第二AZO透明导电薄膜以及柔性不锈钢衬底。
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