[发明专利]一种碳包覆微米硅、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810135903.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108269989B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 霍开富;高标;项奔;安威力;付继江 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 纪元 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种属于无机材料制备技术领域，更具体地，涉及一种碳包覆微米硅、其制备方法和应用。通过将硅化镁在含有二氧化碳的气氛中与二氧化碳发生反应或者硅化镁分解后与二氧化碳发生反应，然后通过酸洗得到碳包覆的微米硅材料，制备方法简单易行，可用于大规模碳包覆微米硅的生产，由此解决现有技术碳包覆微米硅材料制备工艺复杂、安全性差，不利于大规模生产应用的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆 微米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳包覆微米硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以硅化镁为原料，在含有二氧化碳的气氛中于400～800℃发生反应2～24小时，得到含有氧化镁和碳包覆的硅的粗产物；所述含有二氧化碳的气氛为二氧化碳气氛或二氧化碳与惰性气体的混合气氛；(2)将步骤(1)所述粗产物进行酸洗处理，以除去氧化镁和残余的硅化镁原料，得到碳包覆的三维贯通多孔微米硅。
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