[发明专利]一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法

摘要

一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构应用不同类型的带电粒子，从而实现电离和位移缺陷间接交互作用的研究。方法：制备MIS结构，导体‑绝缘体‑半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1，a2和a3，计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3log[(Id+Dd)/Dd]5，产生稳定的电离缺陷和位移缺陷；log[(Id+Dd)/Dd]≤3，产生稳定的位移缺陷；log[(Id+Dd)/Dd]≥5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够有效地揭示电离缺陷和位移缺陷之间交互作用。

主权项

1.一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法按照以下步骤进行：一、将绝缘体、半导体与导体按照每层从上到下的顺序制备成导体‑绝缘体‑半导体的结构，其中半导体的掺杂浓度为1E14/cm3～1E17/cm3；常温条件下，绝缘体的电阻率不小于1E12Ω·cm，导体的电阻率不大于1E～4Ω·cm；二、导体‑绝缘体‑半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a1、a2和a3，其中，a2≤1/5a3，a2≥10a1；三、确定导体‑绝缘体‑半导体中每层导体、绝缘体及半导体的组分、成份、密度及化学式，通过Geant4软件，计算不同能量入射粒子I在导体‑绝缘体‑半导体中的入射深度d1，且d1＞a1；四、根据步骤三中不同能量入射粒子I的能量，通过Geant4软件计算单位注量的入射粒子I在绝缘体内的电离吸收剂量和位移吸收剂量，其中Id1表示电离吸收剂量，Dd1表示位移吸收剂量；计算log[(Id1+Dd1)/Dd1]；五、若入射粒子I在绝缘体内log[(Id1+Dd1)/Dd1]<5，需要返回到步骤三，重新选择粒子种类或能量，继续计算；若入射粒子I在绝缘体内log[(Id1+Dd1)/Dd1]≥5，则能量下的入射粒子I会在绝缘体中产生稳定的电离缺陷；进行步骤六；六、通过Geant4软件，计算不同能量入射粒子II在导体‑绝缘体‑半导体结构中的入射深度d2，且d2＞a1+a2；根据不同能量入射粒子II的能量，通过Geant4软件计算单位注量的入射粒子II在半导体内的电离吸收剂量和位移吸收剂量，其中Id2表示电离吸收剂量，Dd2表示位移吸收剂量；计算log[(Id2+Dd2)/Dd2]；若入射粒子II在绝缘体内3

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