[发明专利]一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。

主权项

1.一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件，其特征在于，所述器件包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区位于基区的外围，所述集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；所述基区的外边缘为长方形，基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；以基区中心坐标为中心，形成n个长方形的发射区，n为大于1的正整数；所述发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3；发射极同时从n个发射区的顶部引出，基极从基区的顶部引出；集电极从集电区的底部引出。