[发明专利]一种发光二极管的在轨性能退化预测方法有效
| 申请号： | 201810139234.2 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108345748B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;刘勇 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 宋诗非 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，属于器件在轨性能退化预测领域，解决了现有发光二极管的在轨性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的步骤、根据预定航天器轨道和航天器设计在轨寿命，确定发光二极管的在轨位移吸收剂量的步骤和根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据的步骤。本发明所述发光二极管的在轨性能退化预测方法特别适用于对发光二极管进行在轨性能退化预测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 性能 退化 预测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，其特征在于，所述在轨性能退化预测方法包括：步骤一、通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线；步骤二、根据预定的航天器轨道和航天器的设计在轨寿命，计算航天器轨道的位移吸收剂量，航天器轨道的位移吸收剂量即为发光二极管的在轨位移吸收剂量；步骤三、根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810139234.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
