[发明专利]一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201810139738.4 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108439327A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 马铁英;吴宝健;金晶 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征是：所述的制备方法是先将氧化好的硅片进行第一次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，最后将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到最终的硅基MEMS微半球阵列，本制备方法新颖且高效。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 腐蚀 光刻 缓冲氢氟酸 二氧化硅 腐蚀液 放入 制备 半球阵列 次光 硅基 | ||
【主权项】：
1.一种硅基MEMS微半球阵列的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是首先将氧化好的硅片进行第一次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片一号，然后将光刻硅片一号放入恒温腐蚀液中进行第一次腐蚀得到腐蚀硅片一号，再把腐蚀硅片一号进行第二次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片二号，再然后将光刻硅片二号放入恒温腐蚀液中进行第二次腐蚀得到腐蚀硅片二号，再将腐蚀硅片二号进行第三次光刻并用缓冲氢氟酸局部去掉二氧化硅得到光刻硅片三号，然后将光刻硅片三号放入恒温腐蚀液中进行第三次腐蚀得到腐蚀硅片三号，最后将腐蚀硅片三号用缓冲氢氟酸全部去掉二氧化硅再放入恒温腐蚀液中进行第四次腐蚀得到最终的硅基MEMS微半球阵列。
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