[发明专利]一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法

摘要

一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，属于石墨烯技术领域。本发明的核心是调控基于石墨烯电极的有机半导体薄膜的形貌和晶体结构，该技术适用于有机场效应器件等具有横向器件结构的有机半导体器件。利用本技术可实现具有一维纳米线状构型的并五苯分子薄膜的可控制备。该纳米线状有机单晶晶畴的宽度为30纳米，长度为3‑5微米。晶畴中并五苯分子呈“站立”式、“面对面”有序排列，形成具有单一晶体结构的有机分子薄膜。此类单晶薄膜对载流子的横向传输有利，适用于高性能有机场效应器件。

主权项

1.一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，其特征在于所述方法为：步骤(1)，将铜基石墨烯裁剪成所需尺寸，然后通过旋涂仪在铜基石墨烯的表面旋涂2‑5微米厚的PMMA，利用传统的湿法转移方法将铜基石墨烯上的石墨烯转移到硅片基底，所述铜基石墨烯为利用化学气相沉积法在铜箔基底上制备的单层石墨烯，所述硅片基底为有氧化层的单晶硅基片；步骤(2)，将硅片基底置于丙酮中浸泡5分钟后，捞出晾干，得到有PMMA残留的石墨烯基底；步骤(3)，将有PMMA残留的石墨烯基底置于管式加热炉中进行高温退火处理，把有PMMA残留的石墨烯基底加热至500℃，并在500℃保持1小时，然后在管式加热炉中冷却至室温，得到干净的石墨烯基底；步骤(4)，将干净的石墨烯基底装载到高真空腔体中，利用热沉积法制备并五苯分子薄膜，将并五苯分子薄膜沉积到干净的石墨烯基底的表面。