[发明专利]在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法有效
| 申请号： | 201810139742.0 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108300882B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 马胜灿;葛青;刘凯;韩幸奇;宋颖;钟震晨 | 申请（专利权）人： | 江西理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C30/00;C22F1/00 |
| 代理公司： | 61223 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞晓明 |
| 地址： | 341000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过调节元素比例调控获得MnCoGe基合金磁结构耦合相变的方法，具体通过利用不同元素间电负性的差异，调节过渡元素和主族元素之间的比例，设计合金成分，改变Mn‑Mn间距和Mn原子局域磁矩，从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变。本发明中提供的MnCoGe基合金具有剧烈的磁结构耦合相变，磁性能优异，合金制备方法简单方便、能源消耗少，制备成本低，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 磁结构 基合金 比例调控 磁场诱导 过渡元素 合金制备 能源消耗 主族元素 磁性能 电负性 磁矩 制备 合金 | ||
【主权项】：
1.一种在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法，其特征在于，利用不同元素间电负性的差异，通过调节Mn/Ge或Co/Ge的比例，设计MnCoGe合金成分，改变Mn-Mn间距和Mn原子局域磁矩，从而获得温度和磁场诱导的剧烈的磁结构耦合相变；/n所述MnCoGe合金的化学式为Mn
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