[发明专利]磁阻元件和磁存储器在审
| 申请号： | 201810140237.8 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN109509832A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 及川忠昭;李永珉;泽田和也;吉野健一;永濑俊彦;渡边大辅 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开提供磁阻元件和磁存储器。实施方式的磁阻元件具备第1磁性层至第3磁性层和第1非磁性层及第2非磁性层。第1磁性层具有可变的磁化方向。第2磁性层具有不变的磁化方向。第3磁性层将第2磁性层的磁化方向固定、并且与第2磁性层进行反铁磁性耦合。第1非磁性层设置于第1磁性层与第2磁性层之间。第2非磁性层设置于第2磁性层与第3磁性层之间、并且含有钌即Ru和金属元素。金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 非磁性层 磁阻元件 磁存储器 磁化方向 金属元素 磁化方向固定 反铁磁性耦合 可变的 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件，具备：第1磁性层，其具有可变的磁化方向；第2磁性层，其具有不变的磁化方向；第1非磁性层，其设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；第3磁性层，其将所述第2磁性层的磁化方向固定，并与所述第2磁性层进行反铁磁性耦合；以及第2非磁性层，其设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，所述第2非磁性层含有钌即Ru和金属元素，所述金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。
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