[发明专利]晶体管元件及半导体布局结构有效
| 申请号： | 201810140599.7 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN109768083B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞成;蔡镇宇 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种晶体管元件与半导体布局结构。该晶体管元件包含具有至少一主动区的一基板、环绕该主动区的一隔离结构、位于该基板上方的一栅极结构、以及位于该栅极结构的相对立的两侧上的一源极/漏极区。该栅极结构包含沿着一第一方向延伸的一第一部分以及沿着一第二方向延伸的一第二部分，该第二方向垂直于该第一方向。该栅极结构的该第一部分为重叠该主动区与该隔离结构之间的一第一边界。本公开可通过布局优化而轻易缩小半导体布局结构占据的总面积以实现装置缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 元件 半导体 布局 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管元件，包括：一基板，包括至少一主动区；一隔离结构，环绕该主动区；一栅极结构，位于该基板上方，该栅极结构包括：一第一部分，沿着一第一方向延伸并且重叠该主动区与该隔离结构之间的一第一边界；以及一第二部分，沿着一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向；以及一源极/漏极区，位于该栅极结构的相对立的两侧上。
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