[发明专利]一种横向结构的半导体异质结变容管装置有效

专利信息
申请号: 201810142411.2 申请日: 2018-02-11
公开(公告)号: CN108365019B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 曾建平;李倩;安宁;谭为 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院电子工程研究所
主分类号: H01L29/92 分类号: H01L29/92;H01L29/93;H01L29/417;H01L21/329
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 杨军
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种横向结构的半导体异质结变容管装置,旨在解决现有金属电极不与异质结的二维电子气形成直接的肖特基接触导致结电容、串联电阻过大和器件频率太低的问题。本发明包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极;质结半导体结构均由沟道层和势垒层组成,沟道层上存在有二维电子气;异质结半导体结构上表面开设有凹槽,金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内,金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。金属阳极和金属阴极均与异质结半导体结构的二维电子气形成一维肖特基接触的横向结构变容管,大幅降低了变容管的零偏电容和串联电阻,并显著提高了电容的非线性,提升器件高频特性。
搜索关键词: 一种 横向 结构 半导体 异质结变容管 装置
【主权项】:
1.一种横向结构的半导体异质结变容管装置,其特征是:从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介质层、金属阳极和金属阴极;所述异质结半导体结构至少有一个,每个异质结半导体结构均由下层的沟道层和上层的势垒层组成,沟道层上存在有二维电子气;所述异质结半导体结构上表面开设有凹槽且凹槽的底部位于二维电子气的下方,金属阳极和金属阴极分别位于不同的凹槽内,金属阳极和金属阴极均与凹槽侧壁形成肖特基接触。
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