[发明专利]获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质有效
申请号: | 201810142576.X | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108336083B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 鞠家欣 | 申请(专利权)人: | 北方工业大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/20 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 100144 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质,应用于栅极接地N沟道场效应晶体管结构的静电放电保护器件。本发明获取电热安全工作区的方法包括:根据静电放电保护器件的结构,构造等效热路模型,获取最大安全耗散功率;根据最大安全耗散功率、最大安全电流、最大安全电压与最大安全二次击穿功率,获取电热安全工作区。本发明通过采用上述技术方案,能够解决现有技术中电热安全工作区的耗散功率由经验值粗略确定,基于此得到的电热安全工作区与静电放电保护器件的实际工作情况存在很大偏差,进而不能够有效地保护静电放电保护器件的问题。 | ||
搜索关键词: | 获取 电热 安全 工作 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种获取电热安全工作区的方法,其特征在于,应用于栅极接地N沟道场效应晶体管结构的静电放电保护器件,所述方法包括:根据静电放电保护器件的结构,构造所述静电放电保护器件的等效热路模型;根据所述等效热路模型,获取所述静电放电保护器件的最大安全耗散功率;根据所述最大安全耗散功率、最大安全电流、最大安全电压与最大安全二次击穿功率,获取所述静电放电保护器件的电热安全工作区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的