[发明专利]一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板有效
| 申请号： | 201810143213.8 | 申请日： | 2018-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN108345171B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明悬;郭会斌;宋勇志;张小祥;徐文清;吴祖谋;李小龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相移掩膜板的制作方法及相移掩膜板，在衬底基板上形成金属遮挡层图案、相位转换层和第一光刻胶层；接着以金属遮挡层图案作为掩模图形，对第一光刻胶层进行构图，形成第一光刻胶层图案，其中，第一光刻胶层图案在衬底基板上的正投影完全覆盖且大于金属遮挡层图案；最后以第一光刻胶层图案作为掩模图形，对相位转换层进行刻蚀，形成相位转换层图案。采用以金属遮挡层图案作为掩模图形，代替现有的采用描画机对第一光刻胶层进行构图，已达到制作出的第一光刻胶层图案与金属遮挡层图案自对准的效果，避免了采用描画机进行曝光时出现的对位偏差，从而保证后续制作出的相位转移层图案与金属遮挡层图案可以严格对准，不存在移位偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 光刻胶层 遮挡层 相移掩膜 金属 相位转换 掩模图形 衬底基板 描画 对位偏差 相位转移 正投影 自对准 刻蚀 移位 制作 对准 曝光 保证 | ||
【主权项】：
1.一种相移掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上形成金属遮挡层图案；/n在所述金属遮挡层图案之上依次形成相位转换层和第一光刻胶层；/n以所述金属遮挡层图案作为掩模图形，对所述第一光刻胶层进行构图，以对所述第一光刻胶层进行欠曝光的方式形成第一光刻胶层图案；其中，所述第一光刻胶层图案在所述衬底基板上的正投影完全覆盖且大于所述金属遮挡层图案；/n以所述第一光刻胶层图案作为掩模图形，对所述相位转换层进行刻蚀，形成相位转换层图案；其中，所述相位转换层图案与所述第一光刻胶层图案一致。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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