[发明专利]动态随机存取存储器的位线栅极结构及其形成方法

摘要

本发明公开一种动态随机存取存储器的位线栅极结构及其形成方法，该形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，包含有下述步骤。首先，形成一多晶硅层于一基底上。接着，形成一牺牲层于多晶硅层上。接续，进行一掺杂制作工艺于牺牲层及多晶硅层上。续之，移除牺牲层。而后，形成一金属堆叠结构于多晶硅层上。本发明还提供一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，包含有下述步骤。首先，形成一多晶硅层于一基底上。接着，进行一等离子体掺杂制作工艺于多晶硅层的一表面上。接续，形成一金属堆叠结构于多晶硅层的表面上。

主权项

1.一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其特征在于，包含有：形成一多晶硅层于一基底上；形成一牺牲层于该多晶硅层上；进行一掺杂制作工艺于该牺牲层及该多晶硅层上；移除该牺牲层；以及形成一金属堆叠结构于该多晶硅层上。