[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置有效
| 申请号： | 201810145330.8 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108461094B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;福岛隆之;山口健洋;神边哲也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65;G11B5/73 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。 | ||
| 搜索关键词： | 磁记录介质 散热层 阻挡层 磁记录再现装置 磁头 激光功率 磁性层 氮化物 碳化物 信噪比 氧化物 衬底 合金 照射 | ||
【主权项】：
1.一种热辅助磁记录介质，其在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层，所述第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分,并且，所述第一阻挡层的主成分具有NaCl型结构,具有所述NaCl型结构的材料是MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、NbN、HfN、ZrN、VN、CrN、TiC、TaC、NbC、HfC或ZrC。
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