[发明专利]一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法

摘要

本发明提供了一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，包括以下步骤：步骤A，酸洗溶液配制：配制含有HNO3、HF和H2SiF6的酸洗溶液；步骤B，酸腐：将太阳能级多晶硅片穿过酸洗溶液后，采用去离子水清洗沾附在太阳能级多晶硅片表面的酸洗溶液；步骤C，碱腐：将太阳能级多晶硅片穿过强碱溶液，进行碱腐，然后采用去离子水进行清洗；步骤D，HF和HCl混合溶液腐蚀：采用HF和HCl的混合溶液进行酸腐后，去离子水清洗；步骤E，吹干：采用压缩气体将步骤D中的太阳能级多晶硅片表面的水分吹干。本发明解决了相同条件下多晶硅在仅含HNO3和HF酸溶液中腐蚀过快，绒面凹坑宽度过大且深度不够，不利于其陷光性能的提高的问题。

主权项

1.一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤A，酸洗溶液配制：配制含有HNO3、HF和H2SiF6的酸洗溶液；步骤B，酸腐：将太阳能级多晶硅片穿过酸洗溶液后，采用去离子水清洗沾附在太阳能级多晶硅片表面的酸洗溶液；步骤C，碱腐：将太阳能级多晶硅片穿过强碱溶液，进行碱腐，然后采用去离子水进行清洗；步骤D，HF和HCl混合溶液腐蚀：采用HF和HCl的混合溶液进行酸腐后，去离子水清洗；步骤E，吹干：采用压缩气体将步骤D中的太阳能级多晶硅片表面的水分吹干。