[发明专利]一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810146344.1 | 申请日： | 2018-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN108456924B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 秦晓燕;李慧亮;王泽岩;黄柏标;张晓阳;王朋;刘媛媛;张倩倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/66;C30B31/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250061 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法，可以解决现有技术中TaON无法制备为取向结构，以及无法获得自支撑薄膜的技术问题，而这些问题抑制了TaON的利用。其技术方案为：将钽酸锂单晶晶片在四氯化碳和氨气的混合气氛下进行煅烧后，即可获得内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜。本发明的制备方法和实验步骤简单，一步制备[100]取向的TaON自支撑薄膜，可大量制备，本发明制备的薄膜除了具有高的晶体取向结构外，还具有有序的纳米棒状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 自支撑薄膜 制备 取向 生长 氨气 单晶晶片 混合气氛 晶体取向 纳米棒状 取向结构 实验步骤 四氯化碳 一步制备 钽酸锂 煅烧 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜的制备方法，其特征是，将钽酸锂单晶晶片在四氯化碳和氨气的混合气氛下进行煅烧后，即可获得内延生长[100]取向TaON自支撑薄膜，其中煅烧的温度为700～900℃，煅烧时间为2～20h。
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