[发明专利]一种CMOS高温基准电压源有效
| 申请号： | 201810148837.9 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108319323B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 陈乐峰;陆文正 | 申请（专利权）人： | 杭州芯元微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 310005 浙江省杭州市莫干山路14*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS高温基准电压源，包括：基准核心电路。基准核心电路具体包括：第一PMOS管M4、低压差线性稳压器LDO、彼此串联的第一阻抗电路和第二阻抗电路；还包括：第三电阻R3、第四电阻R4、彼此串联的第三阻抗电路和第四阻抗电路。通过基准核心电路，采用二进制加权组合MOSFET和电阻器的参考电压架构，以实现大范围扩展至230℃的低温度系数电压基准。该架构在模拟中具有高电源噪声抑制，低输出噪声和低工作温度系数，如‑40℃～230℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 高温 基准 电压 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS高温基准电压源，其特征在于，包括：基准核心电路；所述基准核心电路具体包括：第一PMOS管(M4)、低压差线性稳压器(LDO)、彼此串联的第一阻抗电路和第二阻抗电路；其中，所述第一PMOS管(M4)源极连接电源VDD，栅极连接偏置电路，彼此串联的第一阻抗电路和第二阻抗电路中所述第一阻抗电路的一端与所述第一PMOS管(M4)漏极相连，另一端与地或电源VSS连接；第一阻抗电路和第二阻抗电路构成第一分压电路，第一阻抗电路由MOS管实现,第二阻抗电路由多个MOS管实现,且所述多个MOS管可以根据温度变化,由多个开关分别选择通断,第一阻抗电路和第二阻抗电路之间的节点提供第一电压输出。
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