[发明专利]具有复合栅的IGBT芯片有效
| 申请号： | 201810149376.7 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108538910B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱春林;朱利恒 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合栅的IGBT芯片，包括晶圆基片以及形成在晶圆基片上的若干个依次排列的元胞，元胞包括两个轴对称的复合栅单元；复合栅单元包括设置于晶圆基片上的源极区和栅极区，栅极区包括设置于源极区两侧的平面栅极区和沟槽栅极区；沟槽栅极区包括沟槽栅和辅助子区。本发明提供的具有复合栅的IGBT芯片，通过将平面栅极和沟槽栅极复合于同一元胞，从而大幅度提升芯片密度并保留沟槽栅低通耗，高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有复合栅的IGBT芯片，其特征为，包括晶圆基片以及形成在所述晶圆基片的上表面若干个依次排列的元胞，所述元胞包括两个相互对称的复合栅单元；所述复合栅单元包括设置于所述晶圆基片上的源极区和栅极区，所述栅极区包括设置于所述源极区两侧的平面栅极区和沟槽栅极区；所述沟槽栅极区包括位于所述晶圆基片上的沟槽栅子区以及位于所述沟槽栅子区上方的辅助子区，所述沟槽栅子区包括设置于所述晶圆基片上的沟槽、设置于所述沟槽内表面的第一氧化层以及填充于所述沟槽内形成沟槽栅极的多晶硅，所述辅助子区包括形成于所述晶圆基片上表面的第二氧化层、形成于所述第二氧化层上的多晶硅以及包围所述第二氧化层上多晶硅外表面的绝缘层，所述沟槽内的多晶硅与所述辅助子区的多晶硅相连。
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