[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810149423.8 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN109411003B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 驹井宏充 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：第1至第6存储器单元(MT)；依次配置的第1至第3位线(BL)；依次配置的第4至第6位线(BL)；读出放大器(20)，包含分别连接在第1至第6位线(BL)的第1至第6读出电路(SAU)，且第1及第4读出电路(SAU)、第2及第5读出电路(SAU)、及第3及第6读出电路(SAU)分别相邻；数据寄存器(21)，包含连接在第1及第4读出电路(SAU)的第1及第4锁存电路(XDL)、连接在第2及第5读出电路(SAU)的第2及第5锁存电路(XDL)、及连接在第3及第6读出电路(SAU)的第3及第6锁存电路(XDL)；以及输入输出电路(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：存储器单元阵列，包含第1至第6存储器单元；第1至第3位线，分别连接在所述第1至第3存储器单元，且沿着第1方向依次配置；第4至第6位线，分别连接在所述第4至第6存储器单元，且沿着所述第1方向依次配置；读出放大器，包含分别连接在所述第1至第6位线的第1至第6读出电路，且所述第1读出电路与所述第4读出电路沿着第2方向相邻，所述第2读出电路与所述第5读出电路沿着所述第2方向相邻，所述第3读出电路与所述第6读出电路沿着所述第2方向相邻；数据寄存器，包含分别连接在所述第1至第6读出电路的第1至第6锁存电路，且所述第1及第4锁存电路经由第1总线而连接在所述第1及第4读出电路，所述第2及第5锁存电路经由第2总线而连接在所述第2及第5读出电路，所述第3及第6锁存电路经由第3总线而连接在所述第3及第6读出电路；以及输入输出电路，与所述第1及第4锁存电路经由第1数据线而连接，与所述第2及第5锁存电路经由第2数据线而连接，与所述第3及第6锁存电路经由第3数据线而连接。
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