[发明专利]具有单根或小管束尺寸单壁碳纳米管透明导电薄膜的制备有效

专利信息
申请号: 201810149488.2 申请日: 2018-02-13
公开(公告)号: CN110155986B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 侯鹏翔;胡显刚;刘畅;成会明 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C01B32/159 分类号: C01B32/159;C01B32/162;B82Y40/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及高性能柔性透明导电薄膜制备领域,具体为一种具有单根或小管束尺寸单壁碳纳米管透明导电薄膜的可控制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法,通过增大载气流量和降低催化剂浓度,进而降低反应区形成单壁碳纳米管浓度、减少碳纳米管间碰撞的几率、减弱管与管之间的范德华力,阻止其聚集成大管束,从而得到多以单根或小管束形式存在的、高质量单壁碳纳米管;采用干法收集与转移技术,获得高性能的单壁碳纳米管透明导电薄膜。本发明通过制备具有单根或小管束尺寸的碳纳米管薄膜,降低管与管之间的接触电阻、抑制大管束的形成及其对光的吸收,获得高质量、高性能透明导电薄膜,推动其在高性能光伏器件等领域的应用。
搜索关键词: 具有 管束 尺寸 单壁碳 纳米 透明 导电 薄膜 制备
【主权项】:
1.一种具有单根或小管束尺寸单壁碳纳米管透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,采用大载气流量、低碳源浓度浮动催化剂化学气相沉积法,降低生长区内成核、生长单壁碳纳米管的浓度及停留时间,减少碳纳米管间碰撞的几率、减弱管与管之间的范德华力,阻止其聚集成大管束,从而得到多以单根或小管束形式存在的、高质量单壁碳纳米管,采用干法收集与转移技术,获得高性能的单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜。
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