[发明专利]SOI衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201810149551.2 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110164814B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 何小东 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 易皎鹤 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SOI衬底的制备方法，包括如下步骤：提供具有第一导电类型的硅衬底；在所述硅衬底上形成多个第一导电类型区域和多个第二导电类型区域，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域交错分布，所述第一导电类型与所述第二导电类型的导电类型相反；形成设于所述硅衬底上的埋氧化层和设于所述埋氧化层上的顶层硅。该制备方法得到的SOI衬底中有电流通过时，第一导电类型区域和第二导电类型区域中的不同种类的多数载流子相互耗尽，从而增大了衬底的电阻，并减小了衬底的电容，增强衬底的电隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有第一导电类型的硅衬底；在所述硅衬底内形成多个第一导电类型区域和多个第二导电类型区域，所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域交错分布，所述第一导电类型区域与所述第二导电类型区域的导电类型相反；形成设于所述硅衬底上的埋氧化层和设于所述埋氧化层上的顶层硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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