[发明专利]用于缩聚物的直接结晶的方法和装置有效
申请号: | 201810149608.9 | 申请日: | 2018-02-13 |
公开(公告)号: | CN108453931B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | A·克里斯特尔;B·A·卡伯特 | 申请(专利权)人: | 保利麦特瑞斯公司 |
主分类号: | B29B9/10 | 分类号: | B29B9/10;B29B9/16;C08G63/183;C08G63/90 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭广迅;李渤 |
地址: | 瑞士沃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种用于连续生产部分结晶的缩聚物丸粒材料的方法,所述方法包括以下步骤:使缩聚物熔体形成丸粒材料;在第一处理空间中将液体冷却介质与丸粒材料分离,其中从第一处理空间离开后,丸粒显示温度T |
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搜索关键词: | 用于 缩聚 直接 结晶 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于连续生产部分结晶的缩聚物丸粒材料的方法,所述方法包括以下步骤:a)通过添加温度在缩聚物的玻璃化转变温度(Tg)以下的液体冷却介质使缩聚物熔体形成丸粒材料,并且冷却至在缩聚物的结晶温度范围内的平均丸粒温度,其中在形成丸粒之前或期间或之后进行冷却;b)在第一处理空间中将所述液体冷却介质与丸粒材料分离,其中从第一处理空间离开后,所述丸粒显示温度TGR,c)在第二处理空间中使所述丸粒材料结晶,其中在所述第二处理空间中存在流化床条件,并且在所述第二处理空间中,借助工艺气体通过从外部供应能量加热所述丸粒,其中所述工艺气体的温度T气体高于丸粒温度TGR与由于在第二处理空间中释放的结晶热产生的温度升高TKR之和,即T气体>(TGR+TKR),并且其中在来自所述第二处理空间的出口处的丸粒的平均温度TPH比丸粒温度TGR与由于在第二处理空间中释放的结晶热产生的温度升高TKR之和高5至70℃,即(TGR+TKR+70℃)≥TPH≥(TGR+TKR+5℃)。
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