[发明专利]形成安装在基板上的半导体器件的方法

摘要

本发明披露了一种形成半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：将含有Ni的第一金属层沉积在基板的背面，镀敷基板的背面，从而使刻线部分中的第一金属层露出，将第三金属层沉积在基板的整个背面，并且选择性地去除刻线部分中的第三金属层，从而将第一金属层留在刻线中。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括利用钎焊材料安装在安装基板上的半导体芯片，所述方法包括以下步骤：制备包括顶面和与所述顶面相反的背面的基板，所述顶面上具有外延层；在所述基板的整个所述背面上沉积第一金属层，所述第一金属层含有镍(Ni)和在所述第一金属层的顶部中的金属材料，所述金属材料相对于所述钎焊材料表现出浸润性；使所述第一金属层镀敷有第二金属层，从而使所述第一金属层的与划分所述半导体芯片的刻线对应的部分露出；在所述第二金属层上以及所述刻线中的从所述第二金属层露出的所述第一金属层上沉积第三金属层，所述第三金属层含有镍(Ni)和钛(Ti)中的至少一者；去除所述第三金属层，从而将所述第一金属层留在所述刻线中并将所述第二金属层留在除所述刻线以外的区域中；沿所述刻线切割所述基板，从而形成所述半导体芯片；以及利用所述钎焊材料将所述半导体芯片安装在所述安装基板上。