[发明专利]具有耐压结构的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810150711.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108376708B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王振海 | 申请（专利权）人： | 天津中科先进技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 300392 天津市滨海新区高新区华苑产业*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有耐压结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、耐压氧化层、多晶硅区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，耐压氧化层分别设置在N+区的中央区的两侧，且分别与N+区的侧边区相贴合，耐压氧化层为凹形氧化层，多晶硅区填充在耐压氧化层凹形区域内。该技术方案缓解了现有技术存在的器件结构耐压性能差的技术问题，有效保证了器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 耐压 结构 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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