[发明专利]半导体晶片以及形成半导体的方法有效
| 申请号： | 201810151850.X | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110071033B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 鹿内洋志;保立伦则;田中雄季;工藤真二 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 陶海萍;田勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片包括：第一半导体元件，所述第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，所述第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，所述绝缘层侧向延伸到所述第一半导体元件和所述第二半导体元件；以及研磨层，所述研磨层配置在所述半导体晶片的背面上或临近于所述半导体晶片的背面；其中，所述研磨层与所述第一半导体元件的第一侧壁和所述第二半导体元件的第二侧壁接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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