[发明专利]一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810151957.4 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108117262B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈国华;习娟;陈菁菁;姜登辉;周昌荣;袁昌来 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C10/02 | 分类号： | C03C10/02;C03B11/00;C03B32/02 |
| 代理公司： | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt%CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60‑3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100‑9145 GHz。 | ||
| 搜索关键词： | 介质材料 微晶玻璃 谐振频率温度系数 低介 制备 超低介电常数 相对介电常数 高品质因数 测试频率 品质因数 | ||
【主权项】：
1.一种超低介低烧微晶玻璃介质材料，其特征在于：所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt%的CeO2和0.5wt%的Ga2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810151957.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
