[发明专利]压电传感器制造方法及利用其的压电传感器有效
| 申请号： | 201810153213.6 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108447884B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 房昌爀 | 申请（专利权）人： | （株）凯希思 |
| 主分类号： | H01L27/20 | 分类号： | H01L27/20;H01L41/047;H01L41/29;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的压电传感器制造方法包括如下步骤：刻蚀底板而形成包含多个凹槽的传感器阵列模式形式的模具；将压电材料注入至所述多个凹槽中的里侧凹槽，并将导电材料注入外侧凹槽；对所述注入的压电材料及导电材料进行烧结；刻蚀所述底板，以使所述压电材料及导电材料突出，而形成压电杆及导电杆；将绝缘材料填充至所述底板而形成绝缘层；将所述绝缘层平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；在所述压电材料及导电材料的第一面形成第一电极；在形成有所述第一电极的底板上粘结工艺基板；将所述底板平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；及在所述压电杆及导电杆的第二面形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 传感器 制造 方法 利用 | ||
【主权项】：
1.一种压电传感器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：刻蚀底板而形成包含多个凹槽的传感器阵列模式形式的模具；将压电材料注入至所述多个凹槽中的里侧凹槽，并将导电材料注入外侧凹槽；对所述注入的压电材料及导电材料进行烧结；刻蚀所述底板，以使所述压电材料及导电材料突出，而形成压电杆及导电杆；将绝缘材料填充至所述底板而形成绝缘层；将所述绝缘层平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；在所述压电材料及导电材料的第一面形成第一电极；在形成有所述第一电极的底板上粘结工艺基板；将所述底板平坦化，直至所述压电杆及导电杆露出；及在所述压电杆及导电杆的第二面形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
