[发明专利]用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法在审
| 申请号： | 201810153423.5 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN108389807A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | T.E.哈林顿三世 | 申请（专利权）人： | D3半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/525;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/112;H01L29/66;H01L29/739;H01L29/78;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通常在已知为分立半导体的器件类别中找到的垂直半导体器件的关键电气规格的改进对于这些器件在其中使用的系统的性能实现和功率效率有直接的影响。不精确的垂直器件规格使系统建构者或者针对他们需要的规格目标筛选进入的器件，或者以比所期望的更低的性能或更低的效率来设计他们的系统。公开了一种用于针对垂直半导体器件实现所期望目标规格的体系结构和方法。阈值电压的精确微调改进了导通电阻和开关时间两者的达到目标。栅极电阻的精确微调还改进了开关时间的达到目标。器件的有效宽度的精确微调改进了导通电阻和电流携载能力两者的达到目标。器件参数被微调以改进单个器件，或者达到参数规格的目标来匹配在两个或更多器件上的规格。 | ||
| 搜索关键词： | 微调 垂直半导体器件 改进 导通电阻 体系结构 垂直器件 单个器件 功率效率 目标筛选 期望目标 器件参数 系统建构 有效宽度 栅极电阻 阈值电压 分立 半导体 匹配 期望 | ||
【主权项】：
1.一种可微调垂直半导体器件，包括：第一垂直半导体器件；与所述第一垂直半导体器件并联连接的第二半导体器件的集合；并且所述第二半导体器件的集合中的每一个具有激活链路，所述激活链路连接至所述第一垂直半导体器件，用于微调所述可微调垂直半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
