[发明专利]一种深紫外LED封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810153617.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108389951B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制作方法，封装结构包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，空腔的内底壁上包括附着第一金属层的第一涂覆区和第二金属层的第二涂覆区，第一涂覆区和第二涂覆区间隔设置且电学相异，深紫外LED芯片跨设在第一金属层和第二金属层之间；减反层，减反层附着在深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，透光绝缘层附着于第一金属层和第二金属层的外表面中未与深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，透光盖板覆盖在支架的开口处。该深紫外LED封装结构可改善高温下金属材料因裸露而造成氧化、腐蚀现象的发生，并且改善了LED芯片发光面因材料界面折射率差异大而导致的全反射现象。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 封装结构 涂覆区 第二金属层 第一金属层 附着 透光绝缘层 透光盖板 减反层 支架 芯片 全反射现象 折射率差异 材料界面 间隔设置 金属材料 开口向上 下凹空腔 芯片表面 芯片接触 发光面 开口处 内底壁 电学 空腔 相异 制作 裸露 腐蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于，包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，所述空腔的内底壁上包括附着有N层第一金属层的第一涂覆区和附着有N层第二金属层的第二涂覆区，所述第一涂覆区和所述第二涂覆区间隔设置且电学相异，所述深紫外LED芯片跨设在所述第一金属层和第二金属层之间；N≥1且为整数；减反层，所述减反层附着在所述深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，所述透光绝缘层附着于所述第一金属层和第二金属层的外表面中未与所述深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，所述透光盖板覆盖在所述支架的开口处与所述空腔构成闭合空间；所述透光盖板的上表面具有M层减反膜，所述透光盖板的下表面具有M层增透膜；M≥1且为整数。
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