[发明专利]一种低维无铅钙钛矿薄膜及其无铅钙钛矿太阳能电池制备方法有效

专利信息
申请号: 201810154056.0 申请日: 2018-02-22
公开(公告)号: CN108321299B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 陈永华;邱健;夏英东;黄维 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 吴频梅
地址: 210009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种低维无铅钙钛矿薄膜及其无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,属于光电材料与器件领域。该发明利用特殊的混合溶剂以及加热旋涂技术,在沉积有空穴传输层的ITO玻璃基底上一步旋涂制备得到低维锡基钙钛矿薄膜,经过退火处理后,此薄膜表面平整致密,晶粒大小接近10μm,制备方法简易。所制备的低维锡基钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转化效率和良好的器件稳定性。
搜索关键词: 低维 无铅 制备 太阳能电池制备 钙钛矿薄膜 锡基钙钛矿 钙钛矿 旋涂 致密 光电转化效率 空穴传输层 器件稳定性 晶粒 太阳能电池 薄膜表面 光电材料 混合溶剂 器件领域 退火处理 基底 沉积 薄膜 加热 平整 简易
【主权项】:
1.一种低维无铅钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将丁胺的碘盐,氯甲胺,碘化亚锡以及氟化亚锡按摩尔比2:3:4:0.8溶于特殊的混合溶剂中配置成低维锡基钙钛矿前驱液,在30‑120℃下搅拌3‑5小时;(2)在清洗并且处理过的ITO透明导电玻璃上旋涂沉积空穴传输材料;(3)在沉积有空穴传输层的ITO基底上,利用加热旋涂技术沉积低维锡基钙钛矿薄膜,经过退火处理后得到平整致密的超大晶粒锡基钙钛矿薄膜;(4)在此钙钛矿薄膜上旋涂沉积电子传输层;(5)在电子传输层上接着真空热蒸镀界面修饰层和金属电极;所述的步骤(1)中特殊的混合溶剂为醋酸甲胺和二甲基亚枫的混合溶剂,其中醋酸甲胺体积比二甲基亚枫体积为25%‑400%。
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