[发明专利]生长镓氮化物半导体层的方法在审
| 申请号： | 201810154259.X | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108342773A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朴性秀;李文相 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及生长镓氮化物半导体层的方法。一种生长镓氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成镓氮化物半导体点；以及在该镓氮化物半导体点上生长镓氮化物半导体层。该镓氮化物半导体层可从该衬底分离以用作镓氮化物半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体层 氮化物半导体 衬底 生长 衬底分离 | ||
【主权项】：
1.一种生长镓氮化物半导体层的方法，该方法包括：准备衬底，所述衬底为异质衬底；在所述衬底的表面上形成铝氮化物种籽；在该衬底上从所述铝氮化物种籽生长镓氮化物半导体点；以及以该镓氮化物半导体点为核从该镓氮化物半导体点生长镓氮化物半导体层，所述镓氮化物半导体层包括与所述衬底接界的表面，其中在该镓氮化物半导体层的生长期间形成应力释放层，在该应力释放层中该镓氮化物半导体点彼此连接；其中该镓氮化物半导体点大多数具有0.4μm至0.8μm的尺寸；并且其中该应力释放层在与该镓氮化物半导体层生长的温度相同的温度下与该镓氮化物半导体层连续生长。
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