[发明专利]三维半导体存储器件及其操作方法

摘要

本发明提供一种三维(3D)半导体存储器件及其操作方法，该3D半导体存储器件包括：电极结构，包括垂直堆叠在基板上并在第一方向上延伸的多个单元电极、以及顺序堆叠在所述多个单元电极上的下部串选择电极和上部串选择电极；第一垂直结构，穿过下部串选择电极和上部串选择电极以及所述多个单元电极；第二垂直结构，与上部串选择电极间隔开并穿过下部串选择电极和所述多个单元电极；以及第一位线，与电极结构相交并在不同于第一方向的第二方向上延伸。第一位线共同地接到第一垂直结构和第二垂直结构。第二垂直结构不延伸穿过上部串选择电极。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：基板；电极结构，在所述基板上在第一方向上延伸，所述电极结构包括垂直堆叠在所述基板上的多个单元电极、以及依次堆叠在所述多个单元电极上的下部串选择电极和上部串选择电极；第一垂直结构，穿过所述下部串选择电极、所述上部串选择电极和所述多个单元电极；第二垂直结构，与所述上部串选择电极间隔开使得所述第二垂直结构不延伸穿过所述上部串选择电极，所述第二垂直结构穿过所述下部串选择电极和所述多个单元电极；以及第一位线，在与所述第一方向不同的第二方向延伸，所述第一位线与所述电极结构相交，所述第一位线共同地连接到所述第一垂直结构和所述第二垂直结构。