[发明专利]一种离子注入设备及其离子注入方法有效
申请号: | 201810154566.8 | 申请日: | 2018-02-23 |
公开(公告)号: | CN108364862B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 吕雪峰;周炟;罗康;莫再隆 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种离子注入设备及其离子注入方法,对离子注入设备进行改造,在工艺腔与分析磁场之间增加空置挡板,空置挡板在离子注入以外的时段隔离工艺腔与分析磁场,可以减少工艺腔中的剥落物,降低特性亮暗点发生率,实现高品质显示画面。且可有效缓解工艺腔被污染的速度,提高其自清洁能力,从而延长工艺腔开腔清洁的周期。并且,在工程师打开工艺腔进行清洁之前,关闭空置挡板,使分析磁场和工艺腔分开,分析磁场的真空环境得以保留,在后续只需要对工艺腔恢复真空即可,可减少设备停机时间,可以从12小时减少到6小时。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 设备 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子注入设备,其特征在于,包括:传送腔,与所述传送腔通过阀门连接的工艺腔,通过束流腔与所述工艺腔连接的分析磁场,以及与所述分析磁场连接的离子源;其中,在所述工艺腔与所述分析磁场之间具有空置挡板,所述空置挡板用于在离子注入以外的时段,隔离所述工艺腔与所述分析磁场。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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