[发明专利]存储装置的漏电流补偿读取方法有效

专利信息
申请号: 201810154765.9 申请日: 2018-02-23
公开(公告)号: CN109949837B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 杨尚辑;廖惇雨;陈耕晖 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/12;G11C16/24;G11C16/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种存储装置,包括存储单元阵列,存储单元阵列包含位线及偏压电路单元。感测放大器具有耦接到数据线的数据线输入、和一参考输入。可控参考电流源可被耦接到感测放大器的参考输入。装置上的控制电路以执行读取操作,读取操作包括第一阶段和第二阶段,在第一阶段中阵列被偏压以在被选位线上感应漏电流,在第二阶段中阵列被偏压以读取被选位线上的被选存储单元。装置上的电路被设置以在第一阶段中采样漏电流,并在第二阶段中控制可控参考电流源为所采样的漏电流的一函数。
搜索关键词: 存储 装置 漏电 补偿 读取 方法
【主权项】:
1.一种存储装置,包括:一存储单元阵列,包括多条位线、及一偏压电路以施加多个偏压配置至该存储单元阵列;一感测放大器,具有耦接到一数据线的一数据线输入、和一参考输入;一行译码器,耦接到该阵列中的这些位线以将一被选位线耦接到该数据线;一数据线负载电路,耦接到该数据线;一可控参考电流源,耦接到该参考输入,并具有一控制输入;一控制电路,用以执行一读取操作,该读取操作包括一第一阶段和一第二阶段,在该第一阶段中,该阵列被偏压以在该被选位线上感应一漏电流,在该第二阶段中,该阵列被偏压以读取该被选位线上的一被选存储单元;以及一漏电流采样电路,用于对该第一阶段中的该漏电流进行采样,并且在该第二阶段期间将一控制信号提供至该可控参考电流源的该控制输入,以作为所采样的该漏电流的一函数。
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