[发明专利]半导体装置封装在审

专利信息
申请号: 201810154963.5 申请日: 2018-02-23
公开(公告)号: CN109037160A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 陈建桦;陈明宏;施旭强 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁。所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面。所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面。所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。
搜索关键词: 第一表面 绝缘层 支撑膜 衬底 第二表面 互连结构 第三侧壁 邻近 封装半导体装置 半导体装置 第二侧壁 第一侧壁 封装 延伸 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体装置封装,其包括:衬底,所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;第一绝缘层,所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁,其中所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面;支撑膜,所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁,其中所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面;及互连结构,所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面,所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。
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