[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201810158820.1 申请日: 2018-02-26
公开(公告)号: CN108538732B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 戈登·M·格里芙尼亚 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 马芬;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。本发明公开了一种半导体衬底,所述半导体衬底包含多个半导体管芯,在半导体管芯之间具有锯道。多个凸块在半导体管芯的第一表面上形成。绝缘层在所述半导体管芯的第一表面上在凸块之间形成。将所述半导体管芯的第二表面的一部分去除,并且在剩余的第二表面上形成导电层。将所述半导体衬底设置在切割胶带上,穿过锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置,并且使切割胶带扩张以赋予所述半导体管芯的移动并增加所述半导体管芯之间的空间。将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的空间。穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离半导体管芯。
搜索关键词: 半导体器件 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括多个半导体管芯,在所述半导体管芯之间具有锯道;在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块;在所述半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层;穿过所述锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置;赋予所述半导体管芯的移动以增加所述半导体管芯之间的空间;将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的所述空间;以及穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离所述半导体管芯。
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