[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201810158820.1 | 申请日: | 2018-02-26 |
公开(公告)号: | CN108538732B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 戈登·M·格里芙尼亚 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 马芬;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。本发明公开了一种半导体衬底,所述半导体衬底包含多个半导体管芯,在半导体管芯之间具有锯道。多个凸块在半导体管芯的第一表面上形成。绝缘层在所述半导体管芯的第一表面上在凸块之间形成。将所述半导体管芯的第二表面的一部分去除,并且在剩余的第二表面上形成导电层。将所述半导体衬底设置在切割胶带上,穿过锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置,并且使切割胶带扩张以赋予所述半导体管芯的移动并增加所述半导体管芯之间的空间。将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的空间。穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离半导体管芯。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括多个半导体管芯,在所述半导体管芯之间具有锯道;在所述半导体管芯的第一表面上形成多个凸块;在所述半导体管芯的所述第一表面上在所述凸块之间形成绝缘层;穿过所述锯道切割所述半导体衬底,同时维持所述半导体管芯的位置;赋予所述半导体管芯的移动以增加所述半导体管芯之间的空间;将密封剂沉积在所述半导体管芯上并且进入所述半导体管芯之间的所述空间;以及穿过所述密封剂在所述半导体管芯之间形成沟道以分离所述半导体管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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