[发明专利]一种基于PLZST/P(VDF-co-TrFE)的复合薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810159431.0 申请日: 2018-02-26
公开(公告)号: CN108373329A 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 夏卫民;周振基;梁帆 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C04B35/491 分类号: C04B35/491;C04B35/622;C04B35/64;C08F214/22;C08F214/26;C03C17/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于PLZST/P(VDF‑co‑TrFE)的复合薄膜的制备方法,首先采用固相烧结法制备PLZST压电陶瓷粉末,再将PLZST压电陶瓷粉末与P(VDF‑co‑TrFE)聚合物混合制备复合薄膜,本发明的制备方法采用PLZST压电陶瓷粉末制备复合薄膜相对PZT在低温时更容易被极化;制备的复合薄膜改善了介电性能性,对材料的介电损耗有了很好的控制,同时提高了复合材料的压电性能;且薄膜性能稳定、应变量大。
搜索关键词: 制备 压电陶瓷粉末 复合薄膜 制备复合薄膜 聚合物混合 固相烧结 介电损耗 介电性能 压电性能 复合材料 应变量 极化 薄膜
【主权项】:
1.PLZST压电陶瓷粉末的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、按照以下质量百分比称取材料:Pb3O4 90%‑91%、La2O3 4.85%‑4.95%、ZrO2 2.44%‑2.86%、SrCO3 0.889%‑1.4%、TiO2 0.082%‑1.37%,以上各组分的质量百分比之和为100%;步骤2、将步骤1称取的材料通过固相烧结法制备PLZST压电陶瓷粉末。
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