[发明专利]基于SOG圆片的深硅刻蚀方法

摘要

本发明涉及基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，包括：提供一SOG圆片，SOG圆片置于一平板上；在SOG圆片的硅结构层上形成一硬掩膜层；在硬掩膜层上形成一光刻胶层并曝光、显影以曝露部分硬掩膜层；对曝露的部分硬掩膜层进行刻蚀以曝露部分硅结构层；对曝露的部分硅结构层在一腔室内进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，深感应耦合等离子体干法刻蚀包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，第一刻蚀阶段包括循环进行的第一钝化步骤、第一预刻蚀步骤和第一刻蚀步骤，第二刻蚀阶段包括循环进行的第二钝化步骤、第二预刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤及第二刻蚀步骤中的压力均为30mTorr～40mTorr、刻蚀时间和平板处的射频功率均随循环的周期的增加而逐渐增大。

主权项

1.一种基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述深硅刻蚀方法包括以下步骤：提供一SOG圆片，所述SOG圆片置于一平板上；在所述SOG圆片的硅结构层上形成一硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成一光刻胶层并曝光、显影以曝露部分硬掩膜层；对曝露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以曝露部分硅结构层；对曝露的所述部分硅结构层在一腔室内进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，所述深感应耦合等离子体干法刻蚀包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段包括循环进行的第一钝化步骤、第一预刻蚀步骤和第一刻蚀步骤，所述第二刻蚀阶段包括循环进行的第二钝化步骤、第二预刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤中的压力均为30mTorr～40mTorr，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤的刻蚀时间均随循环的周期的增加而逐渐增大，所述第一刻蚀步骤及所述第二刻蚀步骤中的平板处的射频功率均随循环的周期的增加而逐渐增大。