[发明专利]一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810159975.7 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN108503867B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 杨光;王哲;申洪岩 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08J7/00;C08F238/00;C08L49/00 |
| 代理公司： | 北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504 | 代理人： | 宋林清 |
| 地址： | 100191 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜及其制备方法。本发明的多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，包括步骤：合成二乙炔基聚合物；将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，封闭该成膜容器，待部分有机溶剂挥发，直至形成二乙炔基聚合物薄膜；将二乙炔基聚合物薄膜固化，蒸发剩余有机溶剂致孔，得到多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。该基本材料本征介电常数低，加工性能优良，而薄膜成型方法简单，成型过程中无污染产生，且微孔分布均匀且孔径较为均一，所得产物具有超低介电常数，耐热性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 介电常数 乙炔 聚合物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：合成二乙炔基聚合物；将二乙炔基聚合物置于有机溶剂中溶解，浇注于成膜容器中，封闭该成膜容器，待部分有机溶剂挥发，直至形成二乙炔基聚合物薄膜；将二乙炔基聚合物薄膜固化，蒸发剩余有机溶剂致孔，得到多孔低介电常数二乙炔基聚合物薄膜。
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