[发明专利]阵列基板及阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法，通过在基板与半导体层之间形成第一源漏极层，并通过热处理使得所述第一源漏极层的材料扩散至所述半导体层中，使得所述半导体层对应于所述第一源漏极层的位置进行导体化，得到的所述半导体层包括半导体区，及位于所述半导体区两侧的导体化的第一导体区及第二导体区。并且，通过热处理的方式将所述第一源漏极的材料扩散至所示的半导体层中，并在此过程中半导体层中的氧含量重新分布，从而得到导体化的所述第一导体化区及所述第二导体区。导体化的所述第一导体化区及所述第二导体区具有良好的热稳定性，不会受后续的热处理过程的影响，从而能够保证载流子的传输，保证薄膜晶体管的电性能。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板，依次层叠于所述基板上的第一源漏极层、半导体层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层及第二源漏极层；所述第一源漏极层包括间隔设置的第一源极及第一漏极；所述半导体层包括半导体区及导体化的第一导体区及第二导体区，所述第一导体区及第二导体区分别位于所述半导体区两侧并与所述半导体区连接，所述第一导体区层叠于所述第一源极上，所述第二导体区层叠于所述第一漏极上，所述第一导体区及第二导体区均为所述第一源漏极层的材料扩散至所述半导体层得到；所述第二源漏极层包括间隔设置的第二源极及第二漏极，所述第二源极通过第一过孔与所述第一源极电连接，所述第二漏极通过第二过孔与所述第一漏极电连接。