[发明专利]半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置具备漏极层、漂移层、基底区域、源极区域、沟槽、基底接触件区域、栅极区域及场板电极。漏极层在第1方向及第2方向上扩展。漂移层形成于上述漏极层的表面。基底区域形成于上述漂移层的表面。源极区域形成于上述基底区域的表面。沟槽形成为阵列状，从上述源极区域的表面贯通上述基底区域并到达上述漂移层。基底接触件区域沿着上述第2方向而形成，与上述沟槽不邻接地从上述源极区域的表面连接到上述基底区域。栅极区域在上述沟槽的内壁隔着绝缘膜而形成。场板电极在上述栅极区域的内侧隔着绝缘膜而形成，并形成为比上述栅极区域长。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第1导电型的漏极层，在第1方向及与第1方向交叉的第2方向上扩展；第1导电型的漂移层，形成于上述漏极层的表面，该表面是上述漏极层的与上述第1方向及上述第2方向交叉的第3方向上的一方的面；第2导电型的基极区域，形成于上述漂移层的表面；第1导电型的源极区域，形成于上述基极区域的表面；多个沟槽，该多个沟槽为在上述第1方向及上述第2方向上形成为阵列状的沟槽，且从上述源极区域的表面沿着上述第3方向贯通上述基极区域并到达上述漂移层；第2导电型的基极接触件区域，是在沿着上述第1方向的沟槽彼此之间以在上述第2方向上延伸的方式形成的基极接触件区域，且形成为在上述源极区域内与上述沟槽分离，并与上述基极区域电连接；多个栅极区域，沿着各个上述沟槽的内壁隔着绝缘膜形成于上述沟槽内；多个场板电极，在各个上述栅极区域隔着绝缘膜而相邻并在上述沟槽内沿着上述第3方向形成，在上述第3方向上形成为比上述栅极区域长；第1源极接触件，在上述基极接触件区域及上述源极区域的上表面中沿着上述第1方向的沟槽彼此之间，以沿着上述第2方向的方式形成，与上述基极接触件区域及上述源极区域电连接；第2源极接触件，在上述场板电极的上表面，与上述场板电极电连接；以及栅极接触件，在上述栅极区域的上表面与上述栅极区域电连接。