[发明专利]JFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种JFET，包括：由第一和第二深阱段横向拼接而成的N型深阱，两深阱段之间形成有JFET的沟道阻值调节区；在漂移区场氧底部的形成有包括第一顶层、第二顶层和顶层连接段的P型顶层；第一顶层作为JFET的栅极区，被JFET的栅极区覆盖的N型深阱作为JFET的沟道区，沟道阻值调节区位于JFET的沟道区中；第一顶层还延伸到所述N型深阱外侧的半导体衬底中并该接触孔连接到JFET的栅极。本发明还公开了一种JFET的制造方法。本发明能增加器件的夹断电压，增加沟道区电阻，减少JFET的栅极漏电流；能和LDMOS相集成，工艺成本低。

主权项

1.一种JFET，其特征在于，包括：形成于P型掺杂的半导体衬底上N型深阱，所述N型深阱由第一深阱段和第二深阱段横向拼接而成，所述第一深阱段和所述第二深阱段的注入区域具有间隔且采用相同的工艺同时形成，所述第一深阱段和所述第二深阱段的注入间隔区域形成JFET的沟道阻值调节区；在N型深阱的表面区域中形成有漂移区场氧，在所述漂移区场氧底部的所述N型深阱表面形成有P型顶层结构，所述P型顶层结构包括第一顶层、第二顶层和顶层连接段；所述第一顶层的第二侧和所述第二顶层的第一侧之间连接有所述顶层连接段，所述第一顶层、所述第二顶层和所述顶层连接段采用相同的工艺同时形成；所述第一顶层作为JFET的栅极区，被所述JFET的栅极区覆盖的所述N型深阱作为所述JFET的沟道区，所述JFET的沟道阻值调节区被所述JFET的栅极区覆盖且位于所述JFET的沟道区中并作为所述JFET的沟道区的一部分；所述第一顶层沿所述JFET的沟道区的宽度方向上还延伸到所述N型深阱外侧的所述半导体衬底中，在所述第一顶层的延伸部分顶部形成有接触孔并通过该接触孔连接到由正面金属层组成的所述JFET的栅极；所述JFET的漏区由位于所述第二顶层的第二侧外的所述N型深阱的表面且和所述漂移区场氧的第二侧自对准的N型重掺杂区组成；所述JFET的源区由位于所述JFET的栅极区的第一侧外的所述N型深阱的表面且和所述漂移区场氧的第一侧相隔有间距的N型重掺杂区组成；所述JFET的衬底引出区由位于所述N型深阱外的所述半导体衬底表面的P型重掺杂区；所述JFET的源区通过接触孔连接到由正面金属层组成的所述JFET的源极；所述JFET的漏区通过接触孔连接到由正面金属层组成的漏极；所述JFET的衬底引出区通过接触孔连接到由正面金属层组成的衬底电极，所述衬底电极和所述JFET的栅极相连接；通过将所述第一顶层作为所述JFET的栅极区增加所述JFET的沟道区的纵向宽度从而增加所述JFET的夹断电压；通过减少所述JFET区域的所述第一顶层的面积减少所述JFET的栅极区和沟道区的横向PN结面积从而减少所述JFET的栅极漏电流；通过所述JFET的沟道阻值调节区调节所述JFET的沟道区的电阻。