[发明专利]实现可变鳍片间距的双芯轴

摘要

本发明涉及实现可变鳍片间距的双芯轴，其使用双掩膜工艺以形成在不同阵列内具有受控的且可变的鳍片间距的半导体鳍片阵列。在该工艺期间，顶部芯轴层位于半导体衬底上方的底部芯轴层上方。形成于该衬底的第一区域内的第一芯轴上的侧壁结构定义图案化硬掩膜，其与位于该衬底的第二区域上方的图案化光阻层配合以在该衬底的第一区域及第二区域内形成第二芯轴。将形成于该第二芯轴上的侧壁结构用作掩膜层，以在该衬底上方形成多个鳍片。

主权项

1.一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上方形成底部芯轴层；在该底部芯轴层上方形成顶部芯轴层；蚀刻该顶部芯轴层，以在该衬底的第一区域内形成多个顶部牺牲芯轴；在该顶部牺牲芯轴的侧壁上形成顶部间隙壁层；将对应该顶部间隙壁层的图案转移至该底部芯轴层中，以在该衬底的该第一区域内形成多个底部牺牲芯轴；蚀刻该底部芯轴层，以在该衬底的该第二区域内形成多个底部牺牲芯轴；在该衬底的该第一区域及第二区域内的该底部牺牲芯轴的侧壁上形成底部间隙壁层；以及将对应该底部间隙壁层的图案转移至该衬底中，以形成多个半导体鳍片。