[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201810161422.5 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108666235B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 仓崎浩二;枝光建治;佐藤昌治;武知圭;松村刚至;内田博章;山本滋;高桥朋宏;岩谷浩伸;杉冈真治 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。目的在于即使在伴随基板处理的处理液中的成分浓度的变化较大的情况下，也能够对处理基板的期间的处理液的浓度进行控制。基板处理装置具备：用于利用处理液(30)对基板(12)进行处理的处理槽(14)；预先取得基板的处理信息(200)的取得部(50)；以及存储对处理信息所能取的多个状况、和与上述多个状况分别对应地预先准备的多个浓度变化模式进行记述的对应信息的存储部(52)。并设有：通过参照对应信息，对与所取得的基板的处理信息对应的预测浓度变化模式进行确定的确定部(54)；以及在处理槽中处理基板的期间，基于预测浓度变化模式进行处理液的浓度控制的控制部(56)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：处理槽，其用于利用处理液对至少一张基板进行处理；取得部，其预先取得在上述处理槽中处理的上述基板的处理信息；存储部，其存储对上述处理信息所能取的多个状况、和与上述处理信息的多个状况分别对应地预先准备的上述处理液的多个浓度变化模式进行记述的对应信息；确定部，其通过参照上述对应信息，来确定与在上述取得部取得的上述基板的上述处理信息对应的预测浓度变化模式；以及控制部，其在上述处理槽中处理上述基板的期间，基于上述预测浓度变化模式进行上述处理液的浓度控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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