[发明专利]一种在介电层中限定用于导电路径的图案的方法

摘要

依据本发明的一个方面，提供一种限定介电层中用于导电路径的图案的方法，该方法包括：在介电层上形成掩模层；在掩模层上形成一组纵向且平行延伸的掩模特征件，各掩模特征件包括具有一对侧壁间隔体的芯轴，掩模特征件是隔开的，以使得在掩模特征件之间形成间隙；使得有机旋涂层沉积来覆盖所述一组掩模特征件并填充所述间隙；在有机旋涂层中蚀刻第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述间隙的至少一个亚组，并使得掩模层曝露；以旋涂工艺使得平面化层沉浸来覆盖有机旋涂层并填充第一沟槽；通过蚀刻来减小平面化层和有机选涂层的厚度直至掩模特征件的上表面被曝露，由此，平面化层的剩余材料以所述间隙亚组的各间隙形成离散的第一阻断掩模；将掩模特征件之间的剩余有机旋涂材料相对于各第一阻断掩模选择性地去除，由此暴露掩模特征件之间的所述间隙中的掩模层；以及蚀刻所述间隙中的掩模层，由此形成掩模层中的第一组沟槽，至少一条所述沟槽在纵向方向上中断。

主权项

1.一种在介电层中限定用于导电路径的图案的方法，所述方法包括：在介电层上形成掩模层；在掩模层上形成一组纵向且平行延伸的掩模特征件，各掩模特征件包括具有一对侧壁间隔体的芯轴，掩模特征件是隔开的，以使得在掩模特征件之间形成间隙；使得有机旋涂层沉积来覆盖所述一组掩模特征件并填充所述间隙；在有机旋涂层中蚀刻第一沟槽，所述第一沟槽延伸跨越至少一个亚组的所述间隙，并使得掩模层曝露；以旋涂工艺使得平面化层沉积来覆盖有机旋涂层并填充第一沟槽；通过蚀刻来减小平面化层和有机旋涂层的厚度直至掩模特征件的上表面被曝露，由此，平面化层的剩余材料以在所述间隙亚组的各间隙中形成离散的第一阻断掩模；将掩模特征件之间的剩余有机旋涂材料相对于各第一阻断掩模选择性地去除，由此暴露掩模特征件之间的所述间隙中的掩模层；以及蚀刻所述间隙中的掩模层，由此形成掩模层中的第一组沟槽，至少一条所述沟槽在纵向方向上中断。