[发明专利]使用芯片外围沟槽进行的半导体晶片划片裂纹防止在审
| 申请号： | 201810163867.7 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108511514A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | G.波佐维沃;A.泽赫曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了使用芯片外围沟槽进行的半导体晶片划片裂纹防止。在一个实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：提供包括基本上平面的生长表面和一个或多个优选结晶解理面的半导体基底衬底和在平面生长表面上的外延第一III‑V类型半导体层，以及形成从第一III‑V类型半导体层的上表面至少垂直延伸到平面生长表面的第一沟槽，其中第一沟槽具有与一个或多个优选结晶解理面不平行的长度方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 类型半导体 裂纹防止 平面生长 外围沟槽 划片 优选 芯片 半导体基底 半导体器件 生长表面 不平行 解理面 平面的 上表面 衬底 解理 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供包括基本上平面的生长表面和一个或多个优选结晶解理面的半导体基底衬底以及在平面生长表面上的外延第一III‑V类型半导体层；形成从第一III‑V类型半导体层的上表面至少垂直延伸到平面生长表面的第一沟槽；其中，第一沟槽具有与一个或多个优选结晶解理面不平行的第一沟槽长度方向。
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