[发明专利]一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法有效

专利信息
申请号: 201810163892.5 申请日: 2018-02-27
公开(公告)号: CN108456926B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 王东海;徐军;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽;吴锋 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/08;H01S3/067
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法,包括以下步骤:(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体,微孔晶体内径小于等于1mm,或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体;(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上;(3)坩埚内装入1‑2g原料;(4)升温熔化坩埚内的原料;(5)籽晶杆上升,使微孔晶体接触坩埚底的小孔,坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内;(6)控制后加热器的温度以100‑300℃/h的降温速率降到室温,完成整个长晶过程。与现有技术相比,本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接,获得均匀的折射率分布,从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
搜索关键词: 一种 晶体 包层 生长 纤纤 方法
【主权项】:
1.一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体,微孔晶体内径小于等于1mm,或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体;(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上;(3)坩埚内装入1‑2g原料;(4)升温熔化坩埚内的原料;(5)籽晶杆上升,使微孔晶体接触坩埚底的小孔,坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内;(6)控制后加热器的温度以100‑300℃/h的降温速率降到室温,完成整个长晶过程。
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