[发明专利]一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法有效
申请号: | 201810163892.5 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN108456926B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 王东海;徐军;李纳;薛艳艳;罗平;王庆国;唐慧丽;吴锋 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B15/08;H01S3/067 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法,包括以下步骤:(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体,微孔晶体内径小于等于1mm,或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体;(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上;(3)坩埚内装入1‑2g原料;(4)升温熔化坩埚内的原料;(5)籽晶杆上升,使微孔晶体接触坩埚底的小孔,坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内;(6)控制后加热器的温度以100‑300℃/h的降温速率降到室温,完成整个长晶过程。与现有技术相比,本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接,获得均匀的折射率分布,从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 包层 生长 纤纤 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体,微孔晶体内径小于等于1mm,或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体;(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上;(3)坩埚内装入1‑2g原料;(4)升温熔化坩埚内的原料;(5)籽晶杆上升,使微孔晶体接触坩埚底的小孔,坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内;(6)控制后加热器的温度以100‑300℃/h的降温速率降到室温,完成整个长晶过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810163892.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。